Esta empresa líder en memorias tiene pensado lanzar un nuevo chip que tenga mayor potencia de cálculo en un solo componente, fueron las palabras del presidente de CXMT, Cao Kanyu, en una conferencia de tecnología realizada en Shanghái el fin de semana pasado. El próximo chip, diseñado para servidores de centros de datos, cuenta con el diseño llamado F² y saldrá al mercado antes de que se acabe el año, según expresó Cao en declaraciones a la compañía.
Los posibles logros de la empresa CXMT
Si CXMT logró alcanzar el umbral de 4F², significó que lo alcanzó antes que Samsung y SK Hynix Inc. pese a las sanciones estadounidenses que limitan a la empresa china en el acceso a instrumentos como las máquinas de gama alta de ASML Holding NV (ASML). Cao no brindó más detalles al respecto, pero sus palabras, ampliamente difundidas, llegaron a desencadenar una gran cantidad de ventas de acciones de las empresas de semiconductores a nivel internacional. Las acciones de Samsung y SK Hynix descendieron más del 7% en Corea del Sur este martes, después de que Micron Technology Inc. cerrara con una caída del 4%.
"Una implementación exitosa y anticipada de la arquitectura 4F² en la producción de DRAM mejoraría enormemente la posición competitiva de CXMT frente a sus competidores", afirmó Jing Jie Yu, analista de Morningstar. "Dicho esto, tanto los líderes del sector de la memoria como los fabricantes de equipos se han hecho eco de la dificultad que entraña esta transición tecnológica, y seguimos previendo un lapso significativo entre la presentación del producto 4F² de CXMT y su comercialización con rendimientos viables".
Un mensaje que dio más de una sorpresa
El estándar 6F² presente en el sector se refiere a una superficie equivalente a 6 veces el cuadrado de tamaño de característica de un chip: el ancho de línea básico entre transistores. Actualmente Samsung y SK Hynix están buscando formas de disminuirlo a 4F², lo que (en teoría) permitirá agrupar las mismas celdas en un área más pequeña para lograr unos mejores resultados. Cao, de CXMT, confirmó que se está cambiando la disposición de los transistores mediante el apilamiento. El llamado enfoque Vertical Surrounding Gate debería limitar las fugas y otros efectos secundarios, un inconveniente relacionado desde hace tiempo con los esfuerzos de los grandes competidores por reducir los tamaños más allá del estándar seis F².
Si funciona, el nuevo diseño será el último ejemplo de soluciones innovadoras que las compañías chinas, desde Huawei Technologies Co. hasta DeepSeek, planean para evitar las restricciones tecnológicas de Estados Unidos. "Los inversores están nerviosos y buscan excusas para recoger beneficios en las acciones relacionadas con la IA que han obtenido un rendimiento superior este año, especialmente las de memoria", fueron las palabras de Vey-Serg Ling, director general de Unión Bancaire Privée.
